企业简介
广州新视界光电科技有限公司 main business:教学设备的研究开发;机械设备租赁;工业设计服务;绘图、计算及测量仪器制造;机械技术咨询、交流服务;科技中介服务;软件开发;电子元件及组件制造;电子测量仪器制造;光电子器件及其他电子器件制造;工业自动控制系统装置制造;...电子、通信与自动控制技术研究、开发;...(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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广州新视界光电科技有限公司的工商信息
- 440101000122253
- 91440101560230189X
- 存续
- 有限责任公司(外商投资企业投资)
- 2010-08-06
- 李小放
- 3358.3664万
- 2010-08-06 至 永久
- 广州开发区市场和质量监督管理局
- 广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A1栋第一、二层
- 教学设备的研究开发;机械设备租赁;工业设计服务;绘图、计算及测量仪器制造;机械技术咨询、交流服务;科技中介服务;软件开发;电子元件及组件制造;电子测量仪器制造;光电子器件及其他电子器件制造;工业自动控制系统装置制造;...电子、通信与自动控制技术研究、开发;...(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
广州新视界光电科技有限公司的商标信息
广州新视界光电科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103346164B | 一种颜色可调的有机电致发光器件及其制备方法 | 2016.12.28 | 一种颜色可调的有机电致发光器件及其制备方法，器件设置有衬底、分别设置于衬底上下表面的第一色光单元和第 |
| 2 | CN105742524A | 一种倒置型有机电致发光器件 | 2016.07.06 | 一种倒置型有机电致发光器件，在衬底上依次叠设有第一电极、金属修饰功能结构层、有机功能层和第二电极。金 |
| 3 | CN103367652B | 一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件 | 2016.12.28 | 一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件，复合反射电极设置有银薄膜和作为保护层的非晶透明氧化物薄 |
| 4 | CN106229425A | 一种顶发射全彩有机发光显示器件及制备方法 | 2016.12.14 | 本发明实施例公开了一种顶发射全彩有机发光显示器件及制备方法，所述方法包括：在基板上制备白色有机发光器 |
| 5 | CN104362129B | 用于柔性薄膜电子器件的水氧阻隔膜及其封装工艺 | 2017.04.26 | 一种用于柔性薄膜电子器件的水氧阻隔膜及采用该水氧阻隔膜作为电子器件封装的工艺，水氧阻隔膜由多层用于阻 |
| 6 | CN106298879A | 有源层材料、薄膜晶体管及垂直和顶栅结构TFT的制作方法 | 2017.01.04 | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及有源层材料、薄膜晶体管及垂直和顶栅结构TFT的制作方法，其分子式为 |
| 7 | CN106098739A | 一种OLED照明面板及其制作方法 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种OLED照明面板及其制作方法，包括金属网格辅助电极、金属搭接电极以及第一透明导电膜。 |
| 8 | CN103730190B | 复合铜导电薄膜及其制备方法以及金属布线电路 | 2016.08.17 | 一种复合铜导电薄膜及其制备方法以及通过该复合导电薄膜制备而成的金属布线电路，复合铜导电薄膜自下而上依 |
| 9 | CN105845752A | 一种应用于柔性光电器件的透明导电薄膜及其制备方法 | 2016.08.10 | 一种应用于柔性光电器件的透明导电薄膜，设置有第一氧化物层、金属膜夹层和位于金属膜夹层之上的第二氧化物 |
| 10 | CN103400842B | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法 | 2016.08.10 | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法，器件设置有电荷存储层，金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于 |
| 11 | CN105789265A | 一种显示装置 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种显示装置，包括：位于衬底上矩阵排列的多个像素单元；所述像素单元包括至少一个显示单元和 |
| 12 | CN105720208A | 一种有机电致发光器件 | 2016.06.29 | 一种有机电致发光器件，设置有基板、设置于基板一面且依次叠设的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电 |
| 13 | CN105633170A | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置 | 2016.06.01 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置，薄膜晶体管设置有将有源层和源漏电极隔开的 |
| 14 | CN103633256B | 阶梯增透结构式有机电致发光器件及其制备方法 | 2016.05.25 | 一种阶梯增透结构式有机电致发光器件及其制备方法，器件设置有透明衬底、设置于衬底一面的有机电致发光单元 |
| 15 | CN105591035A | 一种杂化白光有机电致发光器件 | 2016.05.18 | 一种杂化白光有机电致发光器件，设置有基板、阳极、阴极以及介于阳极与阴极之间的功能层，功能层至少包含一 |
| 16 | CN105552080A | 基于金属氧化物薄膜晶体管的非挥发性存储器的制备方法 | 2016.05.04 | 一种基于金属氧化物薄膜晶体管的非挥发性存储器的制备方法，通过如下步骤进行：a.在衬底上制备并图形化金 |
| 17 | CN102916133B | 一种产生白光的有机电致发光器件 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种产生白光的有机电致发光器件，其是由衬底、第一电极层、有机电致发光层、 第二电极层、色 |
| 18 | CN103436849B | 一种氧化物薄膜的溅射方法 | 2016.03.23 | 一种氧化物薄膜的制备方法，是将臭氧直接通入物理气相沉积设备的反应腔内作为溅射气体进行氧化物薄膜沉积。 |
| 19 | CN103346269B | 一种半透明电极及具有该半透明电极的有机电致发光器件 | 2016.03.09 | 一种半透明电极及具有该半透明电极的有机电致发光器件，半透明电极设置有半透明金属层、第一光取出层和第二 |
| 20 | CN103490017B | 一种杂化白光有机电致发光器件 | 2016.03.09 | 一种杂化白光有机电致发光器件，设有基板、阳极、阴极以及介于阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层设有 |
| 21 | CN104882486B | 高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 | 2016.03.09 | 一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有 |
| 22 | CN103094205B | 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及薄膜晶体管驱动背板 | 2015.11.18 | 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及所制备的驱动背板，薄膜晶体管的制备工艺包括a.在衬底上 |
| 23 | CN105023761A | 用于能量存储器件的纳米结构电极及具有该电极的赝电容 | 2015.11.04 | 一种用于能量存储器件的纳米结构电极及具有该电极的赝电容，纳米结构电极具有互导互联的金属纳米结构的引出 |
| 24 | CN103996629B | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法 | 2015.09.30 | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻 |
| 25 | CN104882486A | 高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 | 2015.09.02 | 一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有 |
| 26 | CN102637591B | 一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法 | 2015.05.27 | 本发明实施例公开了一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法，用于实现在氧化物半导体上使用湿刻蚀法直接刻蚀金 |
| 27 | CN104392698A | LED显示装置及LED屏亮度均匀性调节方法 | 2015.03.04 | 一种LED显示装置及LED屏亮度均匀性调节方法，装置设置有数据处理器、行驱动芯片、列驱动芯片、LED |
| 28 | CN104362129A | 用于柔性薄膜电子器件的水氧阻隔膜及其封装工艺 | 2015.02.18 | 一种用于柔性薄膜电子器件的水氧阻隔膜及采用该水氧阻隔膜作为电子器件封装的工艺，水氧阻隔膜由多层用于阻 |
| 29 | CN102881697B | 一种可提高TFT背板良率的布线结构 | 2015.01.21 | 本发明公开了一种可提高TFT背板良率的布线结构，包括主氧化线、电源线、连接金属、行扫描线、电源线与行 |
| 30 | CN102881357B | 一种复合透明导电薄膜 | 2014.12.17 | 本发明公开了一种复合透明导电薄膜，其包括相互叠加的两层或两层以上的透明薄膜，相邻的两层透明薄膜之间设 |
| 31 | CN104201096A | 一种解离剂、解离工艺、柔性显示器件制备及其制备工艺 | 2014.12.10 | 一种解离剂、解离工艺、柔性显示器件制备及其制备工艺，解离剂为还原性解离剂，包括草酸、盐酸、硫化氢、次 |
| 32 | CN104201283A | 衬底与基板分离工艺、牺牲层、柔性显示器件及其制备工艺 | 2014.12.10 | 一种用于柔性显示器件的衬底与基板分离工艺、柔性显示器件及其制备工艺，工艺包括如下步骤,（1）在基板上 |
| 33 | CN102768992B | 一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法 | 2014.10.01 | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法，用于高效的使用金属氧化物半导体材料制作薄膜晶体管 |
| 34 | CN103996797A | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | 2014.08.20 | 一种有机电致发光器件，设置有透明衬底、设置于透明衬底一面且依次叠设的第一电极、有机功能层和第二电极以 |
| 35 | CN103996629A | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺 | 2014.08.20 | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻 |
| 36 | CN203659397U | 一种平板显示实验箱 | 2014.06.18 | 一种平板显示实验箱，设置有箱体以及设于箱体内的DVI解码器、时序控制器、行驱动芯片、列驱动芯片、显示 |
| 37 | CN103236443B | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | 2014.05.14 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法依次包括：a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极； |
| 38 | CN203596372U | 阶梯增透结构式有机电致发光器件 | 2014.05.14 | 一种阶梯增透结构式有机电致发光器件，器件设置有透明衬底、设置于衬底一面的有机电致发光单元及设置于所述 |
| 39 | CN103730190A | 复合铜导电薄膜及其制备方法以及金属布线电路 | 2014.04.16 | 一种复合铜导电薄膜及其制备方法以及通过该复合导电薄膜制备而成的金属布线电路，复合铜导电薄膜自下而上依 |
| 40 | CN103715272A | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | 2014.04.09 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，金属氧化物薄膜晶体管含有由下层金属氧化物薄膜、铜基薄膜和上层金 |
| 41 | CN103633256A | 阶梯增透结构式有机电致发光器件及其制备方法 | 2014.03.12 | 种阶梯增透结构式有机电致发光器件及其制备方法，器件设置有透明衬底、设置于衬底一面的有机电致发光单元及 |
| 42 | CN203459239U | 一种点胶机 | 2014.03.05 | 一种点胶机，设置有架体、控制机构、载胶机构、探测机构、缓冲机构和用于调节胶头与工件之间距离的Z向调节 |
| 43 | CN103311130B | 一种非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | 2014.03.05 | 一种非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法依次包括：a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅 |
| 44 | CN103545221A | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | 2014.01.29 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法依次包括：a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极； |
| 45 | CN203406293U | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件 | 2014.01.22 | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件，器件设置有电荷存储层，金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于电荷存储层和 |
| 46 | CN103490017A | 一种杂化白光有机电致发光器件 | 2014.01.01 | 一种杂化白光有机电致发光器件，设有基板、阳极、阴极以及介于阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层设有 |
| 47 | CN103436849A | 一种氧化物薄膜的溅射方法 | 2013.12.11 | 一种氧化物薄膜的溅射方法，是将臭氧直接通入物理气相沉积设备的反应腔内作为溅射气体进行氧化物薄膜沉积。 |
| 48 | CN103400842A | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法 | 2013.11.20 | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法，器件设置有电荷存储层，金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于 |
| 49 | CN103367652A | 一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件 | 2013.10.23 | 一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件，复合反射电极设置有银薄膜和作为保护层的非晶透明氧化物薄 |
| 50 | CN103346269A | 一种半透明电极及具有该半透明电极的有机电致发光器件 | 2013.10.09 | 一种半透明电极及具有该半透明电极的有机电致发光器件，半透明电极设置有半透明金属层、第一光取出层和第二 |
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